PLN- 斷電通知
什麼是PLN(斷電通知)?
建興儲存的PLN (Power Loss Notification) 是一種高效且經濟的斷電保護方案，特別適用於能夠提供斷電預警的系統環境。
PLN允許主機系統在即將斷電時，透過PCIe介面向SSD發送斷電預警訊號。SSD接收到此訊號後，會立即啟動內部的資料保護流程，如清空快取、更新映射表 (Mapping Table) 及完成未完成的寫入操作，從而在斷電發生前最大程度地保護資料完整性。
PLN的運作
(1)預警發送：當主機偵測到即將斷電 (例如UPS電量低或電源異常) 時，會透過PCIe介面的特定引腳 (如M.2的PLN# Pin) 向SSD發送斷電預警訊號。
(2)SSD響應：SSD接收到預警訊號後，立即執行以下操作：
- 將快取中的資料寫入NAND Flash
- 更新映射表和其他關鍵系統資料
- 完成所有未完成的寫入指令
(3)安全關機：在完成上述操作後，SSD進行安全關機，確保資料完整性。
透過主機發送的斷電預警訊號，SSD能在斷電發生前完成必要的資料保護操作，降低資料遺失的風險。在預警時間充足的情況下，PLN技術能提供與Hardware PLP相當的資料保護效果，且無需額外的電容器，從而降低了硬體成本。這使得PLN成為一種兼具成本效益與高可靠性的解決方案，特別適用於如工業自動化、資料中心、車載系統等能夠提供斷電預警的應用場景。
建興儲存科技的PJ1、CA8系列，已實現PLN技術的支援，能夠在主機提供預警訊號的情況下，迅速執行資料保護流程，確保資料完整性。
延伸閱讀>>HW PLP、FW PLP、PLN比較
建興儲存科技提供企業級SSD (enterprise SSD) 與工業級SSD (industrial SSD)高效能且穩定的儲存應用方案，歡迎聯繫我們找尋合適的解決方案。
NVMe™ SSD
512GB / 1024GB / 2048GB / 4096GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
介面: PCIe® Gen5 x4
循序讀取: 最高 14,000 MB/s
循序寫入: 最高 12,000 MB/s
NVMe™ SSD
40GB / 80GB / 160GB / 320GB / 640GB / 1280GB
NAND Flash: 3D pSLC(TLC)
介面: PCIe® Gen3 x4
循序讀取: 最高 3,100 MB/s
循序寫入: 最高 1,500 MB/s
NVMe™ SSD
40GB / 80GB / 160GB / 320GB / 640GB / 1280GB
NAND Flash: 3D pSLC(TLC)
介面: PCIe® Gen3 x4
循序讀取: 最高 3,100 MB/s
循序寫入: 最高 1,500 MB/s
NVMe™ SSD
960GB / 1600GB / 1920GB / 3200GB / 3840GB / 7680GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
介面: PCIe® Gen4 x4
循序讀取: 最高 6,600 MB/s
循序寫入: 最高 3,500 MB/s
NVMe™ SSD
128GB / 256GB / 512GB / 1024GB / 2048GB /4096GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
介面: PCIe® Gen3 x4
循序讀取: 最高 3,100 MB/s
循序寫入: 最高 1,500 MB/s
NVMe™ SSD
128GB / 256GB / 512GB / 1024GB / 2048GB /4096GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
介面: PCIe® Gen3 x4
循序讀取: 最高 3,100 MB/s
循序寫入: 最高 1,500 MB/s
NVMe™ SSD
1920GB / 3840GB / 7680GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
介面: PCIe® Gen4 x4
循序讀取: 最高 7,000 MB/s
循序寫入: 最高 4,200 MB/s
NVMe™ SSD
960GB / 1920GB / 3840GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
介面: PCIe® Gen4 x4
循序讀取: 最高 6,000 MB/s
循序寫入: 最高 2,400 MB/s
NVMe™ SSD
480GB / 960GB / 1920GB / 3200GB / 3840GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
介面: PCIe® Gen4 x4
循序讀取: 最高 6,000 MB/s
循序寫入: 最高 2,400 MB/s
NVMe™ SSD
256GB / 512GB / 1024GB / 2048GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
介面: PCIe® Gen4 x4
循序讀取: 最高 6,000 MB/s
循序寫入: 最高 5,300 MB/s
NVMe™ SSD
256GB / 512GB / 1024GB / 2048GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
介面: PCIe® Gen4 x4
循序讀取: 最高 6,000 MB/s
循序寫入: 最高 5,300 MB/s
NVMe™ SSD
256GB / 512GB / 1024GB / 2048GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
介面: PCIe® Gen4 x4
循序讀取: 最高 6,000 MB/s
循序寫入: 最高 5,300 MB/s
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