Pseudo SLC
pSLC技術是將MLC模擬成SLC的儲存單元(Cell)結構,透過調整SSD的韌體和演算法,將原本1個儲存單元存放2個位的MLC NAND Flash,模擬成1個儲存單元只存放1個位的SLC儲存模式。
pSLC重新設計MLC儲存單元配置的方式,可以使SSD讀寫效能提升到SLC類似的水準,以及延長使用壽命,不過會需要犧牲MLC SSD一半的容量。
NVMe™ SSD
256GB / 512GB / 1024GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
介面: PCIe® Gen4 x4
循序讀取: 最高 3,700 MB/s
循序寫入: 最高 2,600 MB/s