稳定性
Wear Leveling
耗损平均技术
NAND Flash的区块擦写次数(P/E Cycle)是有上限的，如果单一个区块(Block)不断被写入和抹除，该区块就会过度耗损，造成读写速度变慢，严重者甚至会损坏而产生坏块(Bad Block)。 WL技术在于使SSD中的每一个NAND Flash区块平均地被使用，避免数据只在某些区块写入或抹除，导致SSD因为NAND Flash里的坏块过多，而提早损坏。
WL的运作机制，是让SoC控制器透过WL的算法，去计算每一个区块的剩余抹写次数，并将新数据优先写入已抹除次数较少的区块。因为控制器能平均控制每一个区块的抹写次数，如此一来SSD就不会因为NAND Flash的某些区块过度抹写而提早耗损，因此WL技术可以增进SSD的耐用度和稳定性。
相关产品
CL4 M.2 2280
NVMe™ SSD
256GB / 512GB / 1024GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: PCIe® Gen4 x4
连续读取: 最高 3,700 MB/s
连续写入: 最高 2,600 MB/s
CV8 2.5"
SATA SSD
128GB / 256GB / 512GB
NAND Flash: 3D TLC NAND flash
接口: SATA 3 (6Gb/s)
连续读取: 最高 550 MB/s
连续写入: 最高 450 MB/s
CVC M.2 2242
SATA SSD
128G / 256GB / 512GB / 1024GB / 2048GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: SATA 3 (6Gb/s)
连续读取: 最高 550 MB/s
连续写入: 最高 510 MB/s
__24D13UeUUM.png)
__24D13iSsBM.png)
__24D13Wp7Gw.jpg)
__24D13nZgBR.png)
__24D13SV5GR.png)
