稳定性
闪存技术BiCS FLASH™的诞生
铠侠的前身东芝于1987年正式研发成功 NAND闪存，并在公元1991年独步全球率先投入量产。通过设计准则及制程，不断提升 NAND 闪存的容量。
然而，在有限的平面制程之下还需提升 NAND 闪存的容量，已相当不容易。
为了解决内存储存量不足的问题，铠侠运用全新技术将闪存芯片垂直堆栈，并在 2007 年发表 3D 闪存堆栈技术。根据上述基础，进一步研发相关技术推出了 3D 闪存 : BiCS FLASH™
3D NAND 特色
高密度与高容量
而新技术3D NAND以2D NAND为基础，将堆栈的方式由平面改为立体结构，大幅提升了BiCS FLASH™颗粒可堆栈的空间，除此之外扩增了许多储存空间。
高写入速度
通过3D立体堆栈方式使得BiCS FLASH™单元间的距离相较2D NAND大幅增加，内存单元的变异性下降，单次写入序列所处理的数据判读快，写入速度快。
稳定性高
相较 2D NAND 在平面制程微缩的难度和可靠度问题，3D NAND 垂直堆栈技术工法，大幅增加了BiCS FLASH™单元之间的距离，距离提升后彼此的干扰降低，稳定性提升。
低耗电量
BiCS FLASH™ 提升了写入序列数据量，指令周期明显提升，与2D NAND相比，大幅减少了处理数据的耗费能源，更加节电。
BiCS FLASH™技术演进
以3D NAND立体堆栈方式作为开端，随着技术进步堆栈的层数也越来越高。
由初代的BiCS1经过改良以及新的制程直到BiCS3 才被安装至计算机，时至今日 BiCS5 已被广泛运用，且在技术相对成熟的情况下每颗NAND的单位成本降低，单位储存容量变高以此达到最佳成本效益。
第五代BiCS FLASH™
NAND FLASH应用
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