稳定性
铠侠闪存技术BiCS FLASH™的诞生
铠侠的前身东芝于1987年正式研发成功 NAND闪存，并在公元1991年独步全球率先投入量产。通过设计准则及制程，不断提升 NAND 闪存的容量。然而，在有限的平面制程之下还需提升 NAND 闪存的容量，已相当不容易。为了解决内存储存量不足的问题，铠侠运用全新技术将闪存芯片垂直堆栈，并在 2007 年发表 3D 闪存堆栈技术，现今为全球最大的闪存供货商之一。根据上述基础，进一步研发相关技术推出了 3D 闪存 : BiCS FLASH™
BiCS FLASH™技术演进
随着 3D NAND 技术的演进，内存堆栈层数持续提升。
铠侠第八代 BiCS FLASH™ 3D 闪存 采用高达 218 层堆栈，并导入 CMOS 直接键合到数组（CBA）晶圆键合技术，实现架构创新，满足智能手机、个人计算机、SSD 与数据中心等数据密集型应用的高度需求。
在技术日趋成熟之下，单颗 NAND 的单位成本有效降低，同时单位储存容量持续提升，进一步实现更优异的成本效益
BiCS FLASH™ 第 8 代 3D 闪存
3D NAND 特色
高密度与高容量
2D NAND 系指在受限的平面上加上BiCS FLASH™颗粒，但随着需求与技术的演进，平面模式能排列的颗粒相当有限，因此在技术进步的趋势之下促使了3D NAND技术的诞生。 而新技术3D NAND以2D NAND为基础，将堆栈的方式由平面改为立体结构，大幅提升了BiCS FLASH™颗粒可堆栈的空间，除此之外扩增了许多储存空间。
高写入速度
通过3D立体堆栈方式使得BiCS FLASH™单元间的距离相较2D NAND大幅增加，内存单元的变异性下降，单次写入序列所处理的数据判读快，写入速度快。
稳定性高
相较 2D NAND 在平面制程微缩的难度和可靠度问题，3D NAND 垂直堆栈技术工法，大幅增加了BiCS FLASH™单元之间的距离，距离提升后彼此的干扰降低，稳定性提升。
低耗电量
BiCS FLASH™ 提升了写入序列数据量，指令周期明显提升，与2D NAND相比，大幅减少了处理数据的耗费能源，更加节电。
2D NAND 系指在受限的平面上加上BiCS FLASH™颗粒，但随着需求与技术的演进，平面模式能排列的颗粒相当有限，因此在技术进步的趋势之下促使了3D NAND技术的诞生。 而新技术3D NAND以2D NAND为基础，将堆栈的方式由平面改为立体结构，大幅提升了BiCS FLASH™颗粒可堆栈的空间，除此之外扩增了许多储存空间。
高写入速度
通过3D立体堆栈方式使得BiCS FLASH™单元间的距离相较2D NAND大幅增加，内存单元的变异性下降，单次写入序列所处理的数据判读快，写入速度快。
稳定性高
相较 2D NAND 在平面制程微缩的难度和可靠度问题，3D NAND 垂直堆栈技术工法，大幅增加了BiCS FLASH™单元之间的距离，距离提升后彼此的干扰降低，稳定性提升。
低耗电量
BiCS FLASH™ 提升了写入序列数据量，指令周期明显提升，与2D NAND相比，大幅减少了处理数据的耗费能源，更加节电。
NAND FLASH目标应用
闪存的应用早已深入日常与产业各层面，从个人计算机装置到人工智能与虚拟现实等高效能平台，皆不可或缺。BiCS8 3D NAND 拥有大容量储存、高速读写与高效传输等特性，特别适合应用于需要高速数据处理与稳定效能的大数据环境，包括工业级 SSD、数据中心用 SSD与企业级 SSD等领域。
__24D13UeUUM.png)
__24D13iSsBM.png)
__24D13Wp7Gw.jpg)
__24D13nZgBR.png)
__24D13SV5GR.png)
