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2026-07-24
知識專區

如何挑選 DRAM SSD 與 DRAM-less SSD?效能、延遲與應用指南

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SSD 是否搭載 DRAM,經常被視為判斷效能的重要條件。一般而言,具備 DRAM 的 SSD 在隨機存取、同時處理多筆 I/O 指令及延遲穩定性方面較具優勢;DRAM-less SSD 則可簡化硬體架構,降低成本與功耗。在企業、工業或嵌入式應用中,是否採用具DRAM的SSD,不應只比較規格表上的循序讀寫速度,而應從工作負載、延遲需求、使用環境、耐用度與整體成本進行評估。DRAM SSD

DRAM在SSD中的作用是什麼?

DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態隨機存取記憶體)在SSD中主要用作快取資源,協助控制器更高效地管理資料存取。SSD 需要透過 FTL(Flash Translation Layer,快閃記憶體轉換層)管理主機邏輯位址與 NAND Flash 實體位置之間的對應關係。當 SSD 搭載專用 DRAM 時,控制器可以更快速地查詢相關資訊,減少額外存取 NAND 所需的時間。DRAM 在 SSD 中負責以下幾項關鍵任務:

  • 儲存FTL對應表:
    主機以 LBA(Logical Block Address,邏輯區塊位址)存取資料,與NAND Flash實體位址(PBA)是不同的實體位置。FTL 負責維護兩者之間的對應關係,讓控制器知道資料存放的位置,將經常使用的 FTL 對應資訊保存在 DRAM 中,可以縮短查表時間。當系統需要處理大量小檔案、隨機讀寫或多筆並行指令時,這項優勢會更加明顯。
  • 加速資料存取排程:
    在隨機、高頻I/O應用中,DRAM可協助控制器即時進行I/O排程與指令排序,有效安排讀寫優先順序,進而降低高負載環境下存取延遲。
  • 緩衝主機寫入資料:
    將主機寫入資料先暫存於DRAM,再批次寫入至NAND,有助於提升寫入效率與維持效能穩定性。
  • 降低寫入放大效應(WAF):
    減少對NAND的頻繁直接寫入與搬移作業,有效率地延長SSD壽命。

DRAM-less SSD是怎麼運作的?

無DRAM SSD並非完全沒有快取,而是將對應表改存至NAND Flash 中的 FTL 資料;部分NVMe SSD透過主機記憶體緩衝(Host Memory Buffer, HMB,需搭配NVMe協議與支援OS),使用一小部分主機記憶體,存放控制器經常使用的管理資訊。雖然這樣可以降低成本與功耗,但在高隨機讀寫或工作負載併行情境中,由於對應表存取延遲較高,效能與耐用性往往不如有DRAM的SSD。

 

DRAM SSD vs. DRAM-less SSD比較

比較項目 DRAM SSD DRAM-less SSD
讀寫效能

高效能,低延遲

效能略低,隨機寫入延遲較高

延遲

高負載下通常較容易維持穩定回應時間

延遲較容易受到工作負載與背景作業影響

成本

相對較高

成本低,適合價格敏感應用

主機相容性需求

無特殊需求

使用HMB需OS與主機支援

適用場景

資料庫、伺服器、虛擬化、雲端平台、高頻存取、AI推論平台

嵌入式控制系統、IoT裝置、工業電腦、資料備援、開機碟用途、讀多寫少應用等

哪些應用適合使用 DRAM SSD?

當應用需要頻繁處理小區塊資料、同時接收大量 I/O 指令,或對延遲穩定性有明確要求時,通常較適合使用具備 DRAM 的 SSD:

  • 資料庫與交易系統(如OLTP、金融交易)
  • 虛擬化、VDI與超融合基礎架構
  • 雲端平台、伺服器與IaaS架構
  • 多使用者併行存取的應用服務
  • AI 推論與即時分析平台

CA8 M.2 2280 NVMe™ SSD

NAND Flash: 3D TLC NAND Flash

介面: PCIe® Gen5 x4

循序讀取: 最高 14,000 MB/s

循序寫入: 最高 12,000 MB/s

ER4 2.5" SATA SSD

NAND Flash: 3D TLC NAND flash

介面: SATA 3 (6Gb/s)

循序讀取: 最高 550 MB/s

循序寫入: 最高 530 MB/s

哪些應用可以選擇 DRAM-less SSD?

若系統工作負載相對固定,主要以讀取、循序存取或一般系統操作為主,且對成本、功耗與產品空間較為敏感,可以評估使用 DRAM-less SSD,在效能、功耗與成本之間取得平衡:

  • 嵌入式控制系統
  • IoT裝置
  • 監控備份資料、NVR錄影存取
  • 作為開機碟使用
  • 讀多寫少、連續性存取為主的場景

 

此外,選用DRAM-less,建議搭配:

  • 主機支援HMB(NVMe)
  • SSD韌體具備強化的FTL與SLC快取機制
  • 足夠的OP空間配置

CL4 M.2 2280 NVMe™ SSD

NAND Flash: 3D TLC NAND Flash

介面: PCIe® Gen4 x4

循序讀取: 最高 3,700 MB/s

循序寫入: 最高 2,600 MB/s

CVC 2.5" SATA SSD

NAND Flash: 3D TLC NAND Flash

介面: SATA 3 (6Gb/s)

循序讀取: 最高 550 MB/s

循序寫入: 最高 510 MB/s

結論

如果追求長時間穩定效能與高頻隨機存取 → 建議選用有DRAM的SSD
若系統資源有限、預算受限、負載相對穩定 → 可評估DRAM-less SSD

在選型過程中,兩者沒有絕對的優劣,關鍵在於 SSD 架構是否符合實際工作負載,還需考量控制器設計、韌體優化、NAND類型與功耗需求。SSSTC提供完整的企業級及工業級DRAM SSD與DRAM-less SSD解決方案,涵蓋多種介面、容量與外型尺寸,可因應伺服器、工業自動化、網路通訊、AIoT、交通、醫療與邊緣運算等應用。針對不同產業與應用場景,協助企業打造兼顧效能與可靠性的儲存架構。


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  • SATA SSD:利用 SATA 介面的現有系統提供了一個多功能且具成本效益的升級解決方案。
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