3D 플래시 메모리 “BiCS FLASH™”의 탄생
Kioxia의 전신인 도시바는 1987년에 NAND 플래시 메모리 개발에 성공했으며, 1991년 세계 최초로 양산을 시작했습니다. 설계 지침과 공정을 통해 NAND 플래시 메모리의 용량은 지속적으로 향상되어 왔습니다. 그러나 평면 공정의 한계 내에서 용량을 증가시키는 것은 매우 어려워졌습니다. 메모리 용량 부족 문제를 해결하기 위해 Kioxia는 새로운 기술을 적용하여 플래시 메모리 셀을 수직으로 적층했으며, 2007년에 3D 플래시 메모리 적층 기술을 발표했습니다. 이 기반 위에서 Kioxia는 기술을 더욱 발전시켜 **3D 플래시 메모리 BiCS FLASH™**를 도입했습니다.
BiCS FLASH™ 기술
3D NAND 수직 적층 방식으로 시작하여, 기술 발전과 함께 적층 수는 점점 증가했습니다.
KIOXIA BiCS FLASH™ 8세대 3D 플래시 메모리는 218단 적층과 CMOS Directly Bonded to Array (CBA) 웨이퍼 본딩 기술을 특징으로 하며, 첨단 스마트폰, PC, SSD, 데이터 센터와 같은 데이터 중심 애플리케이션의 요구를 충족시키는 혁신적인 아키텍처를 제공합니다. 성능, 고밀도, 비용 효율성이 중요한 경우 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리는 최적의 솔루션을 제공합니다.
현재 기술이 성숙 단계에 접어들면서, 개별 NAND의 단가는 감소하고 단위당 저장 용량은 증가하여 최적의 비용 효율성을 달성하고 있습니다.
KIOXIA BiCS FLASH™ 8세대
주요 특징
2D NAND는 제한된 평면 공간에 셀을 추가하는 방식이지만, 수요와 기술 발전에 따라 평면에 배치할 수 있는 셀의 수에는 한계가 있습니다. 이러한 한계 극복을 위해 3D NAND 기술이 탄생했습니다. 새로운 3D NAND는 2D NAND를 기반으로 하면서 평면에서 3차원 구조로 전환하여, BiCS FLASH™ 셀을 적층할 수 있는 공간을 크게 확장하여 저장 용량을 비약적으로 증가시켰습니다.
고속 쓰기 성능
3D 적층 구조는 셀 간 거리를 2D NAND보다 크게 늘려 메모리 셀의 변동성을 줄이고, 각 쓰기 시퀀스의 데이터 해석 속도를 높여 쓰기 속도를 향상시킵니다.
2D NAND의 미세화로 인한 신뢰성 문제와 달리, 3D NAND의 수직 적층 기술은 셀 간 거리를 넓혀 셀 간 간섭을 줄여 안정성을 높입니다.
저전력 소모
BiCS FLASH™는 쓰기 시퀀스당 데이터량을 증가시키고 처리 속도를 개선하여, 2D NAND 대비 데이터 처리에 필요한 에너지를 크게 줄여 전력 효율을 향상시킵니다.
NAND 플래시 응용
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