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2026-07-24
知识专区

如何挑选 DRAM SSD 与 DRAM-less SSD?性能、延迟与应用指南

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在选择SSD时,「有DRAM比较快」常被视为通则。然而,这个说法并非放诸四海皆准。特别是在企业、工业或嵌入式应用中,是否采用具DRAM的SSD,应该回归到应用特性,依工作负载、性能需求、预算考虑进行评估。DRAM SSD

DRAM在SSD中的作用是什么?

DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取内存)在SSD中主要用作快取资源,协助控制器更高效地管理数据存取。SSD 需要通过 FTL(Flash Translation Layer,闪存转换层)管理主机逻辑地址与 NAND Flash 实体位置之间的对应关系。当 SSD 搭载专用 DRAM 时,控制器可以更快速地查询相关信息,减少额外存取 NAND 所需的时间。DRAM 在 SSD 中负责以下几项关键任务:

  • 存储FTL对应表:
     主机以 LBA(Logical Block Address,逻辑区块地址)存取数据,与NAND Flash实体地址(PBA)是不同的实体位置。FTL 负责维护两者之间的对应关系,让控制器知道数据存放的位置,将经常使用的 FTL 对应信息保存在 DRAM 中,可以缩短查表时间。当系统需要处理大量小文件、随机读写或多笔并行指令时,这项优势会更加明显。
  • 加速数据存取排程:
    在随机、高频I/O应用中,DRAM可协助控制器实时进行I/O排程与指令排序,有效安排读写优先级,进而降低高负载环境下存取延迟。
  • 缓冲主机写入数据:
    将主机写入数据先暂存于DRAM,再批次写入至NAND,有助于提升写入效率与维持性能稳定性。
  • 降低写入放大效应(WAF):
    减少对NAND的频繁直接写入与搬移作业,有效延长SSD寿命。

无DRAM SSD是怎么运行的?

无DRAM SSD并非完全没有快取,而是将对应表改存至NAND Flash 中的 FTL 数据;部分NVMe SSD通过主机内存缓冲(Host Memory Buffer, HMB,需搭配NVMe协议与支持OS),使用一小部分主机内存,存放控制器经常使用的管理信息。虽然这样可以降低成本与功耗,但在高随机读写或工作负载并行情境中,由于对应表存取延迟较高,性能与耐用性往往不如有DRAM的SSD。

 

DRAM SSD vs. DRAM-less SSD比较

 
比较项目 DRAM SSD 无DRAM SSD

读写性能

 

高性能,低延迟

 

性能略低,随机写入延迟较高

 


延迟

 

高负载下通常较容易维持稳定响应时间

 

 

延迟较容易受到工作负载与背景作业影响


成本

 

相对较高

 

 

成本低,适合价格敏感应用

 


主机兼容性需求

 

无特殊需求

 

 

使用HMB需OS与主机支持

 

适用场景

数据库、服务器、虚拟化、云端平台、高频存取、AI推理平台

嵌入式控制系统、IoT装置、工业电脑、数据备份、启动盘用途、读多写少应用等

哪些应用适合使用 DRAM SSD?

当应用需要频繁处理小区块数据、同时接收大量 I/O 指令,或对延迟稳定性有明确要求时,通常较适合使用具备 DRAM 的 SSD:

  • 数据库与交易系统(如OLTP、金融交易)
  • 虚拟化、VDI与超融合基础架构
  • 云端平台、服务器与IaaS架构
  • 多使用者并行存取的应用服务
  • AI 推理与实时分析平台

CA8 M.2 2280 NVMe™ SSD

NAND Flash: 3D TLC NAND Flash

接口: PCIe® Gen5 x4

顺序读取: 最高 14,000 MB/s

顺序写入: 最高 12,000 MB/s

ER4 2.5" SATA SSD

NAND Flash: 3D TLC NAND flash

接口: SATA 3 (6Gb/s)

顺序读取: 最高 550 MB/s

顺序写入: 最高 530 MB/s

哪些应用可以选择 DRAM-less SSD?

 

若系统工作负载相对固定,主要以读取、顺序访问或一般系统操作为主,且对成本、功耗与产品空间较为敏感,可以评估使用 DRAM-less SSD,在性能、功耗与成本之间取得平衡:

 

  • 嵌入式控制系统
  • IoT装置
  • 监控备份数据、NVR录像存取
  • 作为启动盘使用
  • 读多写少、连续性存取为主的场景

 

 

此外,选用DRAM-less,建议搭配:

 

  • 主机支持HMB(NVMe)
  • SSD固件具备强化的FTL与SLC快取机制
  • 足够的OP空间配置

CL4 M.2 2280 NVMe™ SSD

NAND Flash: 3D TLC NAND Flash

接口: PCIe® Gen4 x4

顺序读取: 最高 3,700 MB/s

顺序写入: 最高 2,600 MB/s

CVC 2.5" SATA SSD

NAND Flash: 3D TLC NAND Flash

接口: SATA 3 (6Gb/s)

顺序读取: 最高 550 MB/s

顺序写入: 最高 510 MB/s

结论

 

如果追求长时间稳定性能与高频随机存取 → 建议选用有DRAM的SSD
若系统资源有限、预算受限、负载相对稳定 → 可评估DRAM-less SSD

在选型过程中,两者没有绝对的优劣,关键在于 SSD 架构是否符合实际工作负载,还需考虑控制器设计、固件优化、NAND类型与功耗需求。SSSTC提供完整的企业级及工业级DRAM SSD与DRAM-less SSD解决方案,涵盖多种接口、容量与外型尺寸,可满足服务器、工业自动化、网络通讯、AIoT、交通、医疗与边缘计算等应用。针对不同产业与应用场景,协助企业打造兼顾性能与可靠性的存储架构。


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