穩定性
鎧俠快閃記憶體技術BiCS FLASH™的誕生
鎧俠的前身東芝於1987年正式研發成功 NAND快閃記憶體，並在西元1991年獨步全球率先投入量產。透過設計準則及製程，不斷提升 NAND 快閃記憶體的容量。然而，在有限的平面製程之下還需提升 NAND 快閃記憶體的容量，已相當不容易。為了解決記憶體儲存量不足的問題，鎧俠運用全新技術將快閃記憶體晶片垂直堆疊，並在 2007 年發表 3D 快閃記憶體堆疊技術，現今為全球最大的快閃記憶體供應商之一。根據上述基礎，進一步研發相關技術推出了 3D 快閃記憶體 : BiCS FLASH™
BiCS FLASH™技術演進
隨著 3D NAND 技術的演進，記憶體堆疊層數持續提升。
鎧俠第八代 BiCS FLASH™ 3D 快閃記憶體 採用高達 218 層堆疊，並導入 CMOS 直接鍵合到陣列（CBA）晶圓鍵合技術，實現架構創新，滿足智慧型手機、個人電腦、SSD 與資料中心等資料密集型應用的高度需求。
在技術日趨成熟之下，單顆 NAND 的單位成本有效降低，同時單位儲存容量持續提升，進一步實現更優異的成本效益。
BiCS FLASH™ 第 8 代 3D 快閃記憶體
3D NAND 特色
高密度與高容量
2D NAND 係指在受限的平面上加上BiCS FLASH™顆粒，但隨著需求與技術的演進，平面模式能排列的顆粒相當有限，因此在技術進步的趨勢之下促使了3D NAND技術的誕生。 而新技術3D NAND以2D NAND為基礎，將堆疊的方式由平面改為立體結構，大幅提升了BiCS FLASH™顆粒可堆疊的空間，除此之外擴增了許多儲存空間。
高寫入速度
透過3D立體堆疊方式使得BiCS FLASH™單元間的距離相較2D NAND大幅增加，記憶體單元的變異性下降，單次寫入序列所處理的資料判讀快，寫入速度快。
穩定性高
相較 2D NAND 在平面製程微縮的難度和可靠度問題，3D NAND 垂直堆疊技術工法，大幅增加了BiCS FLASH™單元之間的距離，距離提升後彼此的干擾降低，穩定性提升。
低耗電量
BiCS FLASH™ 提升了寫入序列資料量，運算速度明顯提升，與2D NAND相比，大幅減少了處理資料的耗費能源，更加節電。
2D NAND 係指在受限的平面上加上BiCS FLASH™顆粒，但隨著需求與技術的演進，平面模式能排列的顆粒相當有限，因此在技術進步的趨勢之下促使了3D NAND技術的誕生。 而新技術3D NAND以2D NAND為基礎，將堆疊的方式由平面改為立體結構，大幅提升了BiCS FLASH™顆粒可堆疊的空間，除此之外擴增了許多儲存空間。
高寫入速度
透過3D立體堆疊方式使得BiCS FLASH™單元間的距離相較2D NAND大幅增加，記憶體單元的變異性下降，單次寫入序列所處理的資料判讀快，寫入速度快。
穩定性高
相較 2D NAND 在平面製程微縮的難度和可靠度問題，3D NAND 垂直堆疊技術工法，大幅增加了BiCS FLASH™單元之間的距離，距離提升後彼此的干擾降低，穩定性提升。
低耗電量
BiCS FLASH™ 提升了寫入序列資料量，運算速度明顯提升，與2D NAND相比，大幅減少了處理資料的耗費能源，更加節電。
NAND FLASH目標應用
快閃記憶體的應用早已深入日常與產業各層面，從個人電腦裝置到人工智慧與虛擬實境等高效能平台，皆不可或缺。BiCS8 3D NAND 擁有大容量儲存、高速讀寫與高效傳輸等特性，特別適合應用於需要高速資料處理與穩定效能的大數據環境，包括工業級 SSD、資料中心用 SSD與企業級 SSD等領域。
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