快閃記憶體技術BiCS FLASH™的誕生
鎧俠的前身東芝於1987年正式研發成功 NAND快閃記憶體，並在西元1991年獨步全球率先投入量產。透過設計準則及製程，不斷提升 NAND 快閃記憶體的容量。
然而，在有限的平面製程之下還需提升 NAND 快閃記憶體的容量，已相當不容易。
為了解決記憶體儲存量不足的問題，鎧俠運用全新技術將快閃記憶體晶片垂直堆疊，並在 2007 年發表 3D 快閃記憶體堆疊技術。根據上述基礎，進一步研發相關技術推出了 3D 快閃記憶體 : BiCS FLASH™
3D NAND 特色
高密度與高容量
2D NAND 係指在受限的平面上加上BiCS FLASH™顆粒，但隨著需求與技術的演進，平面模式能排列的顆粒相當有限，因此在技術進步的趨勢之下促使了3D NAND技術的誕生。
而新技術3D NAND以2D NAND為基礎，將堆疊的方式由平面改為立體結構，大幅提升了BiCS FLASH™顆粒可堆疊的空間，除此之外擴增了許多儲存空間。
高寫入速度
透過3D立體堆疊方式使得BiCS FLASH™單元間的距離相較2D NAND大幅增加，記憶體單元的變異性下降，單次寫入序列所處理的資料判讀快，寫入速度快。
穩定性高
相較 2D NAND 在平面製程微縮的難度和可靠度問題，3D NAND 垂直堆疊技術工法，大幅增加了BiCS FLASH™單元之間的距離，距離提升後彼此的干擾降低，穩定性提升。
低耗電量
BiCS FLASH™ 提升了寫入序列資料量，運算速度明顯提升，與2D NAND相比，大幅減少了處理資料的耗費能源，更加節電。
BiCS FLASH™技術演進
以3D NAND立體堆疊方式作為開端，隨著技術進步堆疊的層數也越來越高。
由初代的BiCS1經過改良以及新的製程直到BiCS3 才被安裝至電腦，時至今日 BiCS5 已被廣泛運用，且在技術相對成熟的情況下每顆NAND的單位成本降低，單位儲存容量變高以此達到最佳成本效益。
第五代BiCS FLASH™
KIOXIA 與Western Digital 在2020年推出的BiCS5 112-Layer 3D NAND 效能更勝BiCS4 96-Layer 3D NAND，與前一代比較，堆疊技術精進每單位儲存容量比BiCS4更提高了將近40%，提升儲存量之外，效能也大幅提升，單位成本降低、耗能也更低；據實驗數據顯示 BiCS5的 I/O效能比BiCS4 提升將近50%。
NAND FLASH應用
快閃記憶體的運用無所不在，小至智慧型手錶及手機大到人工智慧、虛擬實境遊戲機台等應用。其中BiCS5 3D NAND 大儲存量、高速讀寫，高效傳輸的特性，特別適合運用在大數據分析如資料中心用 SSD、工業級SSD及企業級 SSD。
對整體產業而言快閃記憶體促進了工業4.0的轉動，其中人工智慧與5G物聯網也須透過快閃記憶體資料管理、儲存以及傳輸促進產業轉型發展，並將其運用在生活中實現自動駕駛的願景，醫療體系朝向個人化醫療服務等多項用途就此逐步發展成智慧城市。
BiCS5 3D NAND相關產品
