Please wait...

BiCS5 FLASH SSD

快閃記憶體技術BiCS FLASH™的誕生

鎧俠的前身東芝於1987年正式研發成功 NAND快閃記憶體,並在西元1991年獨步全球率先投入量產。透過設計準則及製程,不斷提升 NAND 快閃記憶體的容量。

然而,在有限的平面製程之下還需提升 NAND 快閃記憶體的容量,已相當不容易。

為了解決記憶體儲存量不足的問題,鎧俠運用全新技術將快閃記憶體晶片垂直堆疊,並在 2007 年發表 3D 快閃記憶體堆疊技術。根據上述基礎,進一步研發相關技術推出了 3D 快閃記憶體 : BiCS FLASH™

快閃記憶體技術BiCS FLASH™的誕生

3D NAND 特色

高密度與高容量

2D NAND 係指在受限的平面上加上BiCS FLASH™顆粒,但隨著需求與技術的演進,平面模式能排列的顆粒相當有限,因此在技術進步的趨勢之下促使了3D NAND技術的誕生。

而新技術3D NAND以2D NAND為基礎,將堆疊的方式由平面改為立體結構,大幅提升了BiCS FLASH™顆粒可堆疊的空間,除此之外擴增了許多儲存空間。

高密度與高容量

高讀寫速度

透過3D立體堆疊方式使BiCS FLASH™顆粒間大幅縮短數據傳輸路徑與2D NAND水平排列的模式相比效能提升近50%,更適合在影像處理、大數據分析。

穩定性高

相較 2D NAND 在有限平面上緊密的排列,3D NAND 垂直堆疊的工法,大幅減少了BiCS FLASH™顆粒之間的距離,間距提升後彼此的干擾降低,進而達到更穩定的效能。

低耗電量

BiCS FLASH™ 提升了寫入序列資料量,運算速度明顯提升,與2D NAND相比,大幅減少了處理資料的耗費能源,更加節電。

BiCS FLASH™技術演進

BiCS FLASH™技術演進

以3D NAND立體堆疊方式作為開端,隨著技術進步堆疊的層數也越來越高。

由初代的BiCS1經過改良以及新的製程直到BiCS3 才被安裝至電腦,時至今日 BiCS5 已被廣泛運用,且在技術相對成熟的情況下每顆NAND的單位成本降低,單位儲存容量變高以此達到最佳成本效益。

第五代BiCS FLASH™

KIOXIA 與Western Digital 在2020年推出的BiCS5 112-Layer 3D NAND 效能更勝BiCS4 96-Layer 3D NAND,與前一代比較,堆疊技術精進每單位儲存容量比BiCS4更提高了將近40%,提升儲存量之外,效能也大幅提升,單位成本降低、耗能也更低;據實驗數據顯示 BiCS5的 I/O效能比BiCS4 提升將近50%。

NAND FLASH應用

快閃記憶體的運用無所不在,小至智慧型手錶及手機大到人工智慧、虛擬實境遊戲機台等應用。其中BiCS5 3D NAND 大儲存量、高速讀寫,高效傳輸的特性,特別適合運用在大數據分析如資料中心用 SSD、工業級SSD及企業級 SSD。

NAND FLASH應用

NAND FLASH應用

對整體產業而言快閃記憶體促進了工業4.0的轉動,其中人工智慧與5G物聯網也須透過快閃記憶體資料管理、儲存以及傳輸促進產業轉型發展,並將其運用在生活中實現自動駕駛的願景,醫療體系朝向個人化醫療服務等多項用途就此逐步發展成智慧城市。

NAND FLASH應用

 

BiCS5 3D NAND相關產品

CL4 M.2 2230
CL4 M.2 2242
CL4 M.2 2280