El nacimiento de la memoria flash 3D “BiCS FLASH™”
El predecesor de Kioxia, Toshiba, desarrolló con éxito la memoria flash NAND en 1987 y se convirtió en el primero del mundo en producirla en masa en 1991. A través de directrices de diseño y procesos avanzados, la capacidad de la memoria flash NAND se ha mejorado continuamente. Sin embargo, aumentar la capacidad dentro de las limitaciones de los procesos planos se volvió muy desafiante. Para resolver la falta de capacidad de almacenamiento, Kioxia adoptó una nueva tecnología que apila verticalmente las celdas de memoria flash y anunció en 2007 la tecnología de apilamiento de memoria flash 3D. Sobre esta base, Kioxia desarrolló aún más las tecnologías relacionadas e introdujo la memoria flash 3D: BiCS FLASH™.
Tecnologías BiCS FLASH™
Comenzando con el método de apilamiento vertical 3D NAND, el número de capas ha aumentado a medida que la tecnología ha avanzado.
La memoria flash 3D KIOXIA BiCS FLASH™ de 8ª generación cuenta con 218 capas y la tecnología de unión de obleas CMOS Directly Bonded to Array (CBA), una innovación arquitectónica que satisface las necesidades de aplicaciones centradas en datos como teléfonos inteligentes avanzados, PC, SSD y centros de datos. Cuando importan el rendimiento, la alta densidad y la rentabilidad, la memoria flash 3D BiCS FLASH™ ofrece la solución adecuada.
Con la maduración de la tecnología, el costo unitario de cada NAND ha disminuido mientras que la capacidad de almacenamiento por unidad ha aumentado, logrando una eficiencia óptima en costos.
KIOXIA BiCS FLASH™ Generación 8
Características Clave
El NAND 2D se basa en agregar celdas en una superficie plana limitada. Sin embargo, a medida que evolucionan la demanda y la tecnología, el número de celdas que pueden disponerse en modo planar es limitado. Esta tendencia tecnológica condujo al nacimiento de la tecnología 3D NAND. La nueva tecnología 3D NAND, basada en 2D NAND, pasa de una estructura plana a una tridimensional, aumentando significativamente el espacio disponible para apilar celdas BiCS FLASH™, y expandiendo enormemente la capacidad de almacenamiento.
Alto rendimiento de escritura
Al utilizar una estructura apilada en 3D, la distancia entre las celdas BiCS FLASH™ aumenta en comparación con el NAND 2D. Esto reduce la variabilidad de las celdas de memoria, acelera la interpretación de datos en cada secuencia de escritura y resulta en una mayor velocidad de escritura.
En comparación con las dificultades y problemas de fiabilidad de la miniaturización plana en NAND 2D, la técnica de apilamiento vertical en 3D NAND aumenta significativamente la distancia entre celdas, reduciendo la interferencia y mejorando la estabilidad.
Bajo consumo de energía
BiCS FLASH™ incrementa el volumen de datos por secuencia de escritura y mejora notablemente la velocidad de procesamiento. En comparación con NAND 2D, reduce de manera significativa el consumo de energía requerido para el procesamiento de datos, logrando una mayor eficiencia energética.
Aplicaciones de NAND FLASH
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