穩定性
快閃記憶體技術BiCS FLASH™的誕生
鎧俠的前身東芝於1987年正式研發成功 NAND快閃記憶體，並在西元1991年獨步全球率先投入量產。透過設計準則及製程，不斷提升 NAND 快閃記憶體的容量。
然而，在有限的平面製程之下還需提升 NAND 快閃記憶體的容量，已相當不容易。
為了解決記憶體儲存量不足的問題，鎧俠運用全新技術將快閃記憶體晶片垂直堆疊，並在 2007 年發表 3D 快閃記憶體堆疊技術。根據上述基礎，進一步研發相關技術推出了 3D 快閃記憶體 : BiCS FLASH™
3D NAND 特色
高密度與高容量
而新技術3D NAND以2D NAND為基礎，將堆疊的方式由平面改為立體結構，大幅提升了BiCS FLASH™顆粒可堆疊的空間，除此之外擴增了許多儲存空間。
高寫入速度
透過3D立體堆疊方式使得BiCS FLASH™單元間的距離相較2D NAND大幅增加，記憶體單元的變異性下降，單次寫入序列所處理的資料判讀快，寫入速度快。
穩定性高
相較 2D NAND 在平面製程微縮的難度和可靠度問題，3D NAND 垂直堆疊技術工法，大幅增加了BiCS FLASH™單元之間的距離，距離提升後彼此的干擾降低，穩定性提升。
低耗電量
BiCS FLASH™ 提升了寫入序列資料量，運算速度明顯提升，與2D NAND相比，大幅減少了處理資料的耗費能源，更加節電。
BiCS FLASH™技術演進
以3D NAND立體堆疊方式作為開端，隨著技術進步堆疊的層數也越來越高。
由初代的BiCS1經過改良以及新的製程直到BiCS3 才被安裝至電腦，時至今日 BiCS5 已被廣泛運用，且在技術相對成熟的情況下每顆NAND的單位成本降低，單位儲存容量變高以此達到最佳成本效益。
第五代BiCS FLASH™
NAND FLASH應用
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